国产储存再迎新突破，有望逐渐减小对国外的依赖

在前几年，国内储存芯片行业可谓一片空白，长期以来完全依赖三星、SK海力士、东芝、镁光四家企业进口，不过这种格局有望在近年得到很大改善。

继早前长江存储宣布它已研发出64层NAND flash芯片之后，长江储存已经完成了向部分客户和控制器厂商提供样品的工作，而且在武汉建设的长江存储工厂已经完成，正式投产之后，不仅能为64层闪存芯片扩大产能，更可以为32层闪存产品提供小幅度的产量增加。

除了长江存储之外，合肥长鑫也在不久前宣布突破了DRAM芯片长期以来的技术难题，即将进行小规模的生产。

国内目前存储芯片领域的发展可以说处于两开花的阶段，但是形式依旧严峻，目前国内绝大多数企业都是通过和外企合作的方式获得的相关技术，依旧存在一定的风险，而且大多数都不是IDM模式，因此想要打破DRAM长期被外商所垄断格局，依旧有很长的路要走。