20倍储存容量，每秒1GB高速传输：三星宣布1TB级UFS 2.1闪存量产

在距第一代 UFS 解决方案（128 GB）过去四年之后，三星半导体于 1 月 30 日在其官网上宣布 1TB 嵌入式通用闪存 eUFS 2.1 已可量产。

据悉，新款 UFS 闪存采用了三星第五代 V-NAND 技术，可以提供前代 20 倍的存储容量，比普通 microSD 卡快上 10 倍。在相同的封装尺寸内，1TB eUFS 闪存可包含 16 个三星最新的 V-NAND 闪存和新开发的专有主控，可以存储多达 260 条 10 分钟的 4K UHD 视频。

新款 UFS 闪存还有着高达 1000MB/s 的速度，可以在 5 秒内传输 5GB 的高清视频，是普通 microSD 卡速度的10倍。此外，其随机读取速度提高了 38％ ，最高可达 58,000 IOPS 。随机写入比高性能 microSD 卡快 500 倍，最高可达 50,000 IOPS 。

据其官方公告，三星将于今年上半年在其位于韩国的 Pyeongtaek 工厂扩大其第五代 512Gb V-NAND 的产量，以全面满足全球各类闪存采购商。

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