作为目前SSD和多数存储设备的技术基础,闪存颗粒的价格随着技术的进步必然是朝着更加低廉的方向前进的。不久的过去,当TLC闪存面世之后,曾经引发过一场持续至今的争论。而就在我们还沉浸在MLC还是TLC的选择问题时,更加“丧心病狂”的QLC闪存已经来到了我们的面前。我刚刚拿到了一款来自三星的860QVO 容量为1TB,这是三星首款QLC闪存颗粒的SSD产品。那么它的表现究竟如何呢?
什么是QLC?
NAND闪存的基础单元被称作Cell,如果每个Cell只存储一个bit的数据也就是传统的SLC(Single-Level Cell )颗粒,如果存储2bit数据则称为MLC(Multi-Level Cell)颗粒,TLC(Trinary-Level Cell)则为3bit,而QLC每个Cell中的数据达到了4bit。随着bit数量的增加,带来的好处是同样规模的颗粒可以存储更多的数据,从而实现SSD容量上的大规模提升。而这样带来的副作用是更繁琐的寻址带来的快速老化和同容量下更低的性能。
三星首款QLC SSD ——860QVO
860QVO是三星首款QLC闪存的产品,考虑到QLC的特性,所以为了实现比较高的性能,三星选择了大容量策略,容量1TB起步,最高达到4TB。
QVO目前上市的仅有2.5英寸SATA3接口的版本,M.2接口和MSATA接口的版本暂未上市,其旗下产品还有EVO系列支持M.2和MSATA接口,商品都在同系列。
拆开外壳我们可以看到这款容量高达1TB的SSD产品仅采用了一块大小仅相当于两张多一点标准SD卡大小的PCB。而更夸张的是使用单芯片封装实现了1TB的容量。
这颗64层堆叠的4bit MLC(QLC)NAND芯片的容量达到了1TB!官方质保的寿命为360TBW或三年,也就是360次全盘写入,是相同容量860EVO 600TBW的一半。但如果算下来的话,每天的写入量需要达到328GB才可以在三年内消耗完,这样的寿命很显然还是非常够用的。
860QVO采用了一颗1GB的DDR4缓存。除此之外,三星还准备了6GB的模拟SLC缓存和36GB-72GB的智能缓存来保证日常速度。
官方标称数据方面,1TB版的持续读取性能为550MB/s,持续写入性能为520MB/s。4K随机读写(QD32)性能达到96K和86K IOPS。
总而言之这款SSD可以满足基本的工作电脑性能的需求,存储的流畅度绝对能提高不少。
三星(SAMSUNG)860 QVO 1TB SATA接口 固态硬盘 (MZ-76Q1T0BW)
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