SK海力士出货1TB容量128层的UFS3.1闪存

2019年智能手机的中高端手机基本以128GB容量和起步，部分高端手机开始用上512GB芯片，顶配甚至达到1TB。按照这样的存储发展发速度，2020年会有更多手机搭载1TB闪存芯片。上游的芯片厂商自然努力，为智能终端准备容量更大的存储产品，满足市场和用户的需求。

　　SK海力士在6月全球首发了128层堆栈的4D闪存(SK海力士自家的叫法)，这种4D闪存的本质还是3D闪存，所谓4D是指单芯片四层架构设计，结合3D CTF(电荷捕获闪存)设计、PUC(Peri. Under Cell)技术，PUC是指制造闪存时先形成外围区域再堆叠晶胞，有助于缩小芯片面积。

　　另外，SK海力士新的128层4D闪存单颗容量1Tb(128GB)是业内存储密度最高的TLC闪存，每颗晶圆可生产的比特容量也比96层堆叠增加了40%，单颗芯片集成超过3600亿个闪存单元，每一个可存储3个比特位，SK海力士为此应用一系列创新技术，比如超同类垂直蚀刻技术、高可靠性多层薄膜单元成型技术、超快低功耗电路技术等。

　　SK海力士官方表示1TB容量的UFS 3.1闪存已经出样给手机厂商，预计2020年下半年的5G手机就会用上这种大容量+超高速的UFS闪存。从这款产品开始，SK海力士也会把闪存重点转向5G手机，目前中国市场上正在大力推动5G，存储芯片市场有望从中受益，毕竟5G速度更快，下载、保存的数据量也更高，对手机容量要求更高。