三星完成第三代10纳米超高性能和高功效DRAM研发

三星在2017、2018成为全球最大的半导体制造商，主要得益于急速扩张的DRAM内存和NAND Flash闪存市场。

　　三星电子(Samsung Electronics)公开业界首款第三代10纳米级(1z-nm)8GB超高性能和高功效的DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)。三星计划在今年下半年开始批量生产，以适应下一代企业服务器和2020年推出的高端PC。

　　三星已经在第二代8GBDDR4上采用10nm工艺，只是其需要借助极紫外光刻机(Extreme Ultra-Violet)进行辅助生产。在16个月后，，三星电子研发出不使用极紫外线光刻机即可生产的10纳米级(1z-nm)8GB第三代DDR4，这将改变三星在DRAM存储的扩展极限。

　　三星在开发完成10纳米级(1z-nm)DRAM后，将加快向下一代DRAM接口(DDR5、LPDDR5和GDDR6)过渡，为后续产品量产打下基础。更高性能的和更大容量的10纳米级(1z-nm)产品，将增强三星的市场竞争力，巩固其在高端DRAM市场地位，包括服务器、图形和移动设备等领域。

　　三星电子DRAM产品与技术执行副总裁李荣培(Jung Bae Lee)表示：“我们致力于突破技术领域的最大挑战，推动实现更大的创新。很高兴能再次为下一代DRAM的稳定生产奠定基础，确保性能和能源效率的最大化。随着我们推出10纳米级(1z-nm)的DRAM系列产品，三星将继续致力于支持其全球客户部署尖端系统，并推动高端内存市场的增长。”

　　三星在完成与一家CPU制造商对于8GB DDR4模块的全面验证后，将积极与全球客户合作，向其提供一系列即将面世的内存解决方案。为了满足目前的行业需求，三星计划在其Pyeongtaek网站增加主要内存生产的比重，同时与全球IT客户合作，以满足市场对最先进DRAM产品日益增长的需求。

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